MOSFET N STMicroelectronics 100 A 1200 V Enrichissement, 4 broches SCT AEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
100A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Série
SCT
Typ montáže
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum Rds
18.5mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
121nC
Dissipation de puissance maximum Pd
541W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
3V
Maximální provozní teplota
260°C
Normes/homologations
AEC-Q101
Automobilový standard
Non
Pays d'origine
China
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€ 60,75
€ 60,75 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 60,75
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 60,75 |
| 10+ | € 54,67 |
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4
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121nC
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