Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Power MOSFET
Typ kanálu
N channel
Courant continu de Drain maximum Id
56A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Type de Boitier
Hip-247-4
Série
SCT
Typ montáže
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum Rds
27mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
73nC
Dissipation de puissance maximum Pd
388W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
2.7V
Maximální provozní teplota
85°C
Longueur
15.9mm
Höhe
25.27mm
Pays d'origine
China
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
1
Prix sur demande
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1
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Power MOSFET
Typ kanálu
N channel
Courant continu de Drain maximum Id
56A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Type de Boitier
Hip-247-4
Série
SCT
Typ montáže
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum Rds
27mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
73nC
Dissipation de puissance maximum Pd
388W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
2.7V
Maximální provozní teplota
85°C
Longueur
15.9mm
Höhe
25.27mm
Pays d'origine
China


