MOSFET de puissance N STMicroelectronics 56 A 1200 V Enrichissement, 4 broches, Hip-247-4 Sct

N° de stock RS: 719-470Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: SCT025W120G3-4
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Documents techniques

Spécifications

Typ produktu

Power MOSFET

Typ kanálu

N channel

Courant continu de Drain maximum Id

56A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Type de Boitier

Hip-247-4

Série

SCT

Typ montáže

Through Hole

Nombre de broche

4

Résistance Drain Source maximum Rds

27mΩ

Mode de canal

Enhancement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

73nC

Dissipation de puissance maximum Pd

388W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

2.7V

Maximální provozní teplota

85°C

Longueur

15.9mm

Höhe

25.27mm

Pays d'origine

China

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Prix ​​sur demande

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