MOSFET de puissance canal Canal N STMicroelectronics 56 A 1200 V Enrichissement, 4 broches, Hip-247-4 Sct
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N channel
Type de produit
Power MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
56A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Séries
SCT
Type de Boitier
Hip-247-4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
27mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
2.7V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
73nC
Dissipation de puissance maximum Pd
388W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
5.1 mm
Longueur
15.9mm
Hauteur
25.27mm
Pays d'origine
China
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 20,89
€ 20,89 Each (hors TVA)
1
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1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 20,89 |
| 10 - 49 | € 18,70 |
| 50 - 99 | € 17,24 |
| 100+ | € 16,42 |
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Séries
SCT
Type de Boitier
Hip-247-4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
2.7V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
73nC
Dissipation de puissance maximum Pd
388W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Température d'utilisation maximum
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