MOSFET STMicroelectronics canal Type N, Hip-247 56 A Enrichissement 1200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
56A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
Hip-247
Séries
SCT
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
27mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
73nC
Dissipation de puissance maximum Pd
388W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Température maximale d'utilisation
200°C
Largeur
15.6 mm
Longueur
34.8mm
Hauteur
5mm
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Idée. Créer. Collaborer
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Paquet de production (Tube)
1
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Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
73nC
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22 V
Température minimum de fonctionnement
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Largeur
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