Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
H2PAK-7
Séries
SCT
Type de montage
Surface
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
29mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum d'utilisation
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
48.6nC
Tension directe Vf
2.9V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
10.4 mm
Hauteur
4.8mm
Longueur
15.25mm
Normes/homologations
RoHS, AEC-Q101
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 17,51
€ 17,51 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 17,51
€ 17,51 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 17,51 |
| 10 - 99 | € 15,75 |
| 100+ | € 14,52 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
H2PAK-7
Séries
SCT
Type de montage
Surface
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
29mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum d'utilisation
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
48.6nC
Tension directe Vf
2.9V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
10.4 mm
Hauteur
4.8mm
Longueur
15.25mm
Normes/homologations
RoHS, AEC-Q101
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China


