MOSFET canal Type N STMicroelectronics 60 A 650 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK-7 SCT AEC-Q101

N° de stock RS: 214-955Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: SCT027H65G3AG
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

60A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

H2PAK-7

Séries

SCT

Type de montage

Surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

29mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

300W

Tension maximale de source de la grille Vgs

22 V

Température minimum d'utilisation

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

48.6nC

Tension directe Vf

2.9V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

10.4 mm

Hauteur

4.8mm

Longueur

15.25mm

Normes/homologations

RoHS, AEC-Q101

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine

China

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Tout voir dans Transistors MOSFET

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 17,51

€ 17,51 Each (hors TVA)

MOSFET canal Type N STMicroelectronics 60 A 650 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK-7 SCT AEC-Q101
Sélectionner le type d'emballage

€ 17,51

€ 17,51 Each (hors TVA)

MOSFET canal Type N STMicroelectronics 60 A 650 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK-7 SCT AEC-Q101

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Sélectionner le type d'emballage

QuantitéPrix unitaire
1 - 9€ 17,51
10 - 99€ 15,75
100+€ 14,52

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

60A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

H2PAK-7

Séries

SCT

Type de montage

Surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

29mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

300W

Tension maximale de source de la grille Vgs

22 V

Température minimum d'utilisation

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

48.6nC

Tension directe Vf

2.9V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

10.4 mm

Hauteur

4.8mm

Longueur

15.25mm

Normes/homologations

RoHS, AEC-Q101

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine

China

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus