MOSFET STMicroelectronics canal Type N, H2PAK-7 60 A Enrichissement 650 V, 7 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
H2PAK-7
Séries
SCT
Type de montage
Surface
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
29mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
2.9V
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
48.6nC
Température de fonctionnement maximale
175°C
Longueur
15.25mm
Normes/homologations
RoHS, AEC-Q101
Largeur
10.4 mm
Hauteur
4.8mm
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Paquet de production (Bobine)
1
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Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
2.9V
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22 V
Température minimum de fonctionnement
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Longueur
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Normes/homologations
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