MOSFET STMicroelectronics canal Type N 60 A Enrichissement 650 V, 4 broches SCT027W65G3-4AG

N° de stock RS: 215-228Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: SCT027W65G3-4AG
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Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

60A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Série

SCT

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

29mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

51nC

Dissipation de puissance maximum Pd

313W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-10 to 22 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

3V

Température d'utilisation maximum

200°C

Normes/homologations

AEC-Q101

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine

China

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€ 619,42

€ 20,647 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal Type N 60 A Enrichissement 650 V, 4 broches SCT027W65G3-4AG

30

Disponible en multiples de 30
30€ 619,42
60€ 1 238,84
90€ 1 858,26
120€ 2 477,68
150€ 3 097,10
180€ 3 716,52
210€ 4 335,94
240€ 4 955,36
270€ 5 574,78
300€ 6 194,19
330€ 6 813,61
360€ 7 433,03
390€ 8 052,45
420€ 8 671,87
450€ 9 291,29

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270€ 5 574,78
300€ 6 194,19
330€ 6 813,61
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4

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29mΩ

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Charge de porte typique Qg @ Vgs

51nC

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313W

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Température minimum de fonctionnement

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