MOSFET STMicroelectronics canal N, HiP247-4 60 A 650 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
60 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
SCT
Type de boîtier
HiP247-4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
China
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€ 558,43
€ 18,614 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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