MOSFET STMicroelectronics canal Type N 60 A Enrichissement 650 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Séries
SCT
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
29mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
51nC
Dissipation de puissance maximum Pd
313W
Tension maximale de source de la grille Vgs
-10 to 22 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
3V
Température de fonctionnement maximale
200°C
Normes/homologations
AEC-Q101
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
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Prix sur demande
Paquet de production (Tube)
1
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51nC
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