MOSFET N STMicroelectronics 40 A 1200 V Enrichissement, 3 broches, Hip-247 SCT AEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
40A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
Hip-247
Série
SCT
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
40mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
56nC
Dissipation de puissance maximum Pd
312W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
200°C
Normes/homologations
AEC-Q101
Standard automobile
AEC-Q101
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€ 609,34
€ 20,311 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Série
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Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
56nC
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