MOSFET STMicroelectronics canal N, HiP247-4 30 A 650 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
SCT
Type de boîtier
HiP247-4
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
China
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 16,30
€ 16,30 Each (hors TVA)
1
€ 16,30
€ 16,30 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 16,30 |
| 5+ | € 15,81 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
SCT
Type de boîtier
HiP247-4
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
China
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.