MOSFET STMicroelectronics canal Type N, Ruban et bobine 30 A Enrichissement 650 V, 7 broches SCT055HU65G3AG
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
30A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
Ruban et bobine
Type de montage
Surface
Nombre de broches
7
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
29nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
14 mm
Longueur
18.58mm
Hauteur
3.5mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
Morocco
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 11,64
€ 11,64 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 11,64
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 11,64 |
| 2+ | € 11,06 |
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Enrichissement
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Tension maximale de source de la grille Vgs
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