Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
750 V
Séries
SCT
Type de boîtier
HU3PAK
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
7
Mode de canal
Enhancement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
Japan
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Standard
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
750 V
Séries
SCT
Type de boîtier
HU3PAK
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
7
Mode de canal
Enhancement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
Japan


