MOSFET STMicroelectronics canal Type N, HU3PAK 30 A Enrichissement 750 V, 7 broches SCT060HU75G3AG
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
30A
Tension Drain Source maximum Vds
750V
Type de Boitier
HU3PAK
Série
SCT060HU
Type de montage
Surface
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
58mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
3V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
29nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
±18 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
19 mm
Longueur
14.1mm
Hauteur
3.6mm
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
No
Pays d'origine
Japan
Idée. Créer. Collaborer
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Paquet de production (Bobine)
1
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Série
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Surface
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Enrichissement
Tension directe Vf
3V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
29nC
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