Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
30A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
H2PAK-7
Série
SCT
Type de montage
Surface
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
63mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
37nC
Dissipation de puissance maximum Pd
224W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Tension directe Vf
3V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
10.4 mm
Longueur
15.25mm
Normes/homologations
RoHS
Pays d'origine
China
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 10 172,41
€ 10,172 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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1000
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STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
30A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
H2PAK-7
Série
SCT
Type de montage
Surface
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
63mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
37nC
Dissipation de puissance maximum Pd
224W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Tension directe Vf
3V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
10.4 mm
Longueur
15.25mm
Normes/homologations
RoHS
Pays d'origine
China


