MOSFET STMicroelectronics canal Type N, H2PAK-7 30 A Enrichissement 1200 V, 7 broches SCT070H120G3-7

N° de stock RS: 214-960Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: SCT070H120G3-7
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Documents techniques

Spécifications

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

30A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Type de Boitier

H2PAK-7

Série

SCT

Type de montage

Surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

63mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

37nC

Dissipation de puissance maximum Pd

224W

Tension maximale de source de la grille Vgs

22 V

Tension directe Vf

3V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

10.4 mm

Longueur

15.25mm

Normes/homologations

RoHS

Pays d'origine

China

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€ 10 172,41

€ 10,172 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)

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Série

SCT

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Surface

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7

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Mode de canal

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37nC

Dissipation de puissance maximum Pd

224W

Tension maximale de source de la grille Vgs

22 V

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3V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

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