MOSFET N STMicroelectronics 30 A 1200 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK-7 SCT
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
30A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
H2PAK-7
Série
SCT
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
7
Résistance Drain Source maximum Rds
63mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
37nC
Dissipation de puissance maximum Pd
224W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
3V
Maximální provozní teplota
85°C
Longueur
15.25mm
Normes/homologations
RoHS
Pays d'origine
China
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€ 12,76
€ 12,76 Each (hors TVA)
1
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1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 12,76 |
| 10 - 99 | € 11,48 |
| 100+ | € 10,59 |
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H2PAK-7
Série
SCT
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Surface
Nombre de broche
7
Résistance Drain Source maximum Rds
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
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