MOSFET de puissance STMicroelectronics canal Type N, HU3PAK 30 A Enrichissement 1200 V, 7 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Power MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
30A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
HU3PAK
Série
SCT
Type de montage
Surface
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
63mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
37nC
Dissipation de puissance maximum Pd
23W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
14 mm
Longueur
18.58mm
Hauteur
3.5mm
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
Japan
Idée. Créer. Collaborer
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Paquet de production (Bobine)
1
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Série
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Surface
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Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
37nC
Dissipation de puissance maximum Pd
23W
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-55°C
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