MOSFET de puissance canal Type N STMicroelectronics 30 A 1200 V Enrichissement, 7 broches, HU3PAK SCT AEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Power MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
30A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
HU3PAK
Séries
SCT
Type de montage
Surface
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
63mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
23W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
37nC
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
18.58mm
Normes/homologations
RoHS
Largeur
14 mm
Hauteur
3.5mm
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
Japan
Idée. Créer. Collaborer
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Paquet de production (Bobine)
1
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SCT
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Surface
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
23W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température de fonctionnement minimale
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Longueur
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