Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Série
SiC MOSFET
Type de boîtier
H2PAK-2
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0.203 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
239V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 10 008,56
€ 10,009 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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1000
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Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Série
SiC MOSFET
Type de boîtier
H2PAK-2
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0.203 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
239V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC


