Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
20A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
H2PAK-2
Série
SiC MOSFET
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
203mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
45nC
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.8mm
Hauteur
10.4mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics est produit en exploitant les propriétés Advanced et innovante des matériaux à large bande passante. Le matériau SiC offre des propriétés thermiques remarquables.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 9 899,74
€ 9,90 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Dissipation de puissance maximum Pd
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Température minimum de fonctionnemen
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Hauteur
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