MOSFET N STMicroelectronics 20 A 1200 V Enrichissement, 3 broches, H2PAK-2 SiC MOSFET
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
20A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
H2PAK-2
Série
SiC MOSFET
Type de montage
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
203mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
45nC
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.8mm
Taille
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 10 071,46
€ 10,071 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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H2PAK-2
Série
SiC MOSFET
Type de montage
Surface
Nombre de broche
3
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Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
45nC
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
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