MOSFET N STMicroelectronics 20 A 1200 V Enrichissement, 3 broches, H2PAK-2 SiC MOSFET
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type du produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
20A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Séries
SiC MOSFET
Type de Boitier
H2PAK-2
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
203mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
45nC
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
No
Largeur
4.7 mm
Taille
10.4mm
Longueur
15.8mm
Standard automobile
No
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 10 053,11
€ 10,053 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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H2PAK-2
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Surface
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3
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Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
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Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
45nC
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