MOSFET STMicroelectronics canal Type N, H2PAK-2 20 A Enrichissement 1200 V, 3 broches

N° de stock RS: 201-4415Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: SCT20N120H
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

20A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Type de Boitier

H2PAK-2

Série

SiC MOSFET

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

203mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

45nC

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Tension maximale de source de la grille Vgs

25 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

4.7 mm

Longueur

15.8mm

Hauteur

10.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 10 008,56

€ 10,009 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal Type N, H2PAK-2 20 A Enrichissement 1200 V, 3 broches

1000

Disponible en multiples de 1000
1000€ 10 008,56
2000€ 20 017,13
3000€ 30 025,69
4000€ 40 034,25
5000€ 50 042,82
6000€ 60 051,38
7000€ 70 059,94
8000€ 80 068,50
9000€ 90 077,07
10000€ 100 085,63
11000€ 110 094,19
12000€ 120 102,76
13000€ 130 111,32
14000€ 140 119,88
15000€ 150 128,44

€ 10 008,56

€ 10,009 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal Type N, H2PAK-2 20 A Enrichissement 1200 V, 3 broches

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

1000

Disponible en multiples de 1000
1000€ 10 008,56
2000€ 20 017,13
3000€ 30 025,69
4000€ 40 034,25
5000€ 50 042,82
6000€ 60 051,38
7000€ 70 059,94
8000€ 80 068,50
9000€ 90 077,07
10000€ 100 085,63
11000€ 110 094,19
12000€ 120 102,76
13000€ 130 111,32
14000€ 140 119,88
15000€ 150 128,44

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

20A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Type de Boitier

H2PAK-2

Série

SiC MOSFET

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

203mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

45nC

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Tension maximale de source de la grille Vgs

25 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

4.7 mm

Longueur

15.8mm

Hauteur

10.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus