MOSFET N STMicroelectronics 45 A 1200 V Enrichissement, 3 broches, Hip-247
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
45A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
Hip-247
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
100mΩ
Mode de canal
Enhancement
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
105nC
Tension directe Vf
3.5V
Dissipation de puissance maximum Pd
270W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température d'utilisation maximum
200°C
Taille
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Largeur
5.15 mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) à canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrent une très faible résistance de drain-source à l'état passant pour les tensions nominales de 1 200 V, combinée avec d'excellentes performances de commutation, ce qui se traduit par des systèmes plus efficaces et plus compacts.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 19,42
€ 19,42 Each (hors TVA)
Standard
1
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 19,42 |
| 5 - 9 | € 18,45 |
| 10 - 24 | € 16,61 |
| 25+ | € 16,50 |
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Mode de canal
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Température d'utilisation minimum
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
105nC
Tension directe Vf
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Dissipation de puissance maximum Pd
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Température d'utilisation maximum
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Taille
20.15mm
Longueur
15.75mm
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No
Largeur
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Les transistors MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrent une très faible résistance de drain-source à l'état passant pour les tensions nominales de 1 200 V, combinée avec d'excellentes performances de commutation, ce qui se traduit par des systèmes plus efficaces et plus compacts.
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