MOSFET canal Type N STMicroelectronics 45 A 1200 V Enrichissement, 3 broches, Hip-247 Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
45A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
Hip-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
100mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
270W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
105nC
Tension directe Vf
3.5V
Température d'utilisation maximum
200°C
Largeur
5.15 mm
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) à canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrent une très faible résistance de drain-source à l'état passant pour les tensions nominales de 1 200 V, combinée avec d'excellentes performances de commutation, ce qui se traduit par des systèmes plus efficaces et plus compacts.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 19,24
€ 19,24 Each (hors TVA)
Standard
1
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 19,24 |
| 5 - 9 | € 18,28 |
| 10 - 24 | € 16,46 |
| 25+ | € 16,35 |
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3
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Mode de canal
Enrichissement
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270W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
105nC
Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
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Largeur
5.15 mm
Hauteur
20.15mm
Longueur
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No
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Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) à canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrent une très faible résistance de drain-source à l'état passant pour les tensions nominales de 1 200 V, combinée avec d'excellentes performances de commutation, ce qui se traduit par des systèmes plus efficaces et plus compacts.
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