Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
45A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
H2PAK
Type de support
Surface
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
67mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
208W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
14nC
Tension directe Vf
3.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
4.8 mm
Taille
15.25mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (On a Reel of 100) (hors TVA)
100
Prix sur demande
Each (On a Reel of 100) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
100
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Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
45A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
H2PAK
Type de support
Surface
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
67mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
208W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
14nC
Tension directe Vf
3.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
4.8 mm
Taille
15.25mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No


