MOSFET canal Type N STMicroelectronics 45 A 650 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
45A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
H2PAK
Type de montage
Surface
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
67mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
208W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
14nC
Tension directe Vf
3.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
4.8 mm
Hauteur
15.25mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
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€ 1 180,77
€ 11,808 Each (On a Reel of 100) (hors TVA)
100
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
208W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
14nC
Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
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