MOSFET N STMicroelectronics 33 A 1200 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK SCTH40N
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
33A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
H2PAK
Série
SCTH40N
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
7
Résistance Drain Source maximum Rds
105mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
61nC
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Maximální provozní teplota
85°C
Longueur
10.4mm
Höhe
15.25mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 11 566,02
€ 11,566 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Série
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Surface
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7
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Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
61nC
Dissipation de puissance maximum Pd
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Température minimum de fonctionnement
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Maximální provozní teplota
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