MOSFET canal Type N STMicroelectronics 33 A 1200 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK SCTH40N Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
33A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
H2PAK
Séries
SCTH40N
Type de montage
Surface
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
105mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
61nC
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Largeur
4.8 mm
Hauteur
15.25mm
Standard automobile
No
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€ 11 418,83
€ 11,419 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Séries
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Surface
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7
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
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Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
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