Module MOSFET STMicroelectronics canal N, H2PAK-7 33 A 1200 V, 7 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
33 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Série
SCT
Type de conditionnement
H²PAK-7
Type de montage
CMS
Nombre de broche
7
Résistance Drain Source maximum
0,105 Ω
Mode de canal
Depletion
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
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Prix sur demande
Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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