MOSFET N STMicroelectronics 116 A 650 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK SCTH90
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
116A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
H2PAK
Séries
SCTH90
Type de support
Surface
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
24mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
484W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
157nC
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
4.8 mm
Taille
10.4mm
Longueur
15.25mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 23 458,79
€ 23,459 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Mode de canal
Enhancement
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Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
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