MOSFET canal Type N STMicroelectronics 116 A 650 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK SCTH90 Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
116A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
H2PAK
Séries
SCTH90
Type de montage
Surface
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
24mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
484W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
157nC
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
4.8 mm
Hauteur
10.4mm
Longueur
15.25mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 25,17
€ 25,17 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 25,17
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 25,17 |
| 5 - 9 | € 23,64 |
| 10 - 24 | € 22,40 |
| 25 - 49 | € 21,14 |
| 50+ | € 20,41 |
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Type de Boitier
H2PAK
Séries
SCTH90
Type de montage
Surface
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
24mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
484W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum de fonctionnement
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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No
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