MOSFET STMicroelectronics canal Type N, H2PAK 100 A 1200 V Épuisement, 7 broches

N° de stock RS: 202-5485Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: SCTW100N65G2AG
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Documents techniques

Spécifications

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Type de Boitier

H2PAK

Séries

SCT

Type de montage

Surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

0.105Ω

Mode de canal

Épuisement

Dissipation de puissance maximum Pd

420W

Tension maximale de source de la grille Vgs

22 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

162nC

Tension directe Vf

2.8V

Température de fonctionnement maximale

200°C

Largeur

5.15 mm

Hauteur

34.95mm

Longueur

15.75mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No

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€ 771,77

€ 25,726 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)

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Surface

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Résistance Drain Source maximum Rds

0.105Ω

Mode de canal

Épuisement

Dissipation de puissance maximum Pd

420W

Tension maximale de source de la grille Vgs

22 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

162nC

Tension directe Vf

2.8V

Température de fonctionnement maximale

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Largeur

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