MOSFET N STMicroelectronics 119 A 650 V Enrichissement, 3 broches, Hip-247 SCTW90
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
119A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
Hip-247
Série
SCTW90
Type de support
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
24mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
565W
Tension maximale de source de la grille Vgs
18 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
157nC
Tension directe Vf
2.5V
Température d'utilisation maximum
200°C
Largeur
5.15 mm
Taille
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
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€ 791,95
€ 26,398 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Tension maximale de source de la grille Vgs
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
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