MOSFET canal Type N STMicroelectronics 119 A 650 V Enrichissement, 3 broches, Hip-247 SCTW90 Non

N° de stock RS: 201-0887Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: SCTW90N65G2V
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Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

119A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

Hip-247

Séries

SCTW90

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

24mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

565W

Tension maximale de source de la grille Vgs

18 V

Température de fonctionnement minimum

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

157nC

Tension directe Vf

2.5V

Température d'utilisation maximum

200°C

Largeur

5.15 mm

Taille

20.15mm

Longueur

15.75mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No

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€ 28,16

€ 28,16 Each (hors TVA)

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Production -

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1

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1€ 28,16
2€ 56,33
3€ 84,49
4€ 112,65
5€ 136,96
6€ 164,35
7€ 191,74
8€ 219,13
9€ 246,52
10€ 266,78
11€ 293,46
12€ 320,13
13€ 346,81
14€ 373,49
15€ 400,17

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12€ 320,13
13€ 346,81
14€ 373,49
15€ 400,17

QuantitéPrix unitaire
1 - 4€ 28,16
5 - 9€ 27,39
10 - 24€ 26,68
25 - 49€ 26,00
50+€ 25,34

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3

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Mode de canal

Enrichissement

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565W

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18 V

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