MOSFET canal Type N STMicroelectronics 20 A 1200 V Épuisement, 3 broches, Hip-247 SCT Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
20A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
Hip-247
Séries
SCT
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.189Ω
Mode de canal
Épuisement
Dissipation de puissance maximum Pd
175W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
45nC
Tension directe Vf
3.6V
Température d'utilisation maximum
200°C
Largeur
5.15 mm
Hauteur
41.37mm
Longueur
16.02mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
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Prix sur demande
Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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SCT
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3
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Mode de canal
Épuisement
Dissipation de puissance maximum Pd
175W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
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