Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
45 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
SCTWA35N65G2V
Type de boîtier
Hip247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0.072 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.2V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
China
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 345,01
€ 11,50 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 345,01
€ 11,50 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
30
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
45 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
SCTWA35N65G2V
Type de boîtier
Hip247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0.072 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.2V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
China


