MOSFET N STMicroelectronics 60 A 1200 V Enrichissement, 4 broches, Hip-247 SCTW
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
Hip-247
Séries
SCTW
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
52mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
388W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
22nC
Tension directe Vf
3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
5.1 mm
Taille
21.1mm
Longueur
15.9mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
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€ 745,96
€ 24,865 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
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