Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
91 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Type de conditionnement
HiP247-4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum
0.03 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.9V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium
€ 33,95
€ 33,95 Each (hors TVA)
Standard
1
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STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
91 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Type de conditionnement
HiP247-4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum
0.03 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.9V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium