MOSFET canal Type N STMicroelectronics 119 A 650 V Enrichissement, 4 broches, Hip-247 SCTWA90N65G2V-4 Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
119A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
Hip-247
Séries
SCTWA90N65G2V-4
Type de montage
Surface
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
24mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
656W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
157nC
Tension directe Vf
2.5V
Température d'utilisation maximum
200°C
Largeur
21.1 mm
Hauteur
5.1mm
Longueur
15.9mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
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€ 801,55
€ 26,718 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
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Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
157nC
Tension directe Vf
2.5V
Température d'utilisation maximum
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