MOSFET STMicroelectronics canal N, HiP247-4 119 A 650 V, 4 broches

N° de stock RS: 213-3943Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: SCTWA90N65G2V-4
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

119 A

Tension Drain Source maximum

650 V

Séries

SCTWA90N65G2V-4

Type de boîtier

HiP247-4

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

4

Résistance Drain Source maximum

0,024 O

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

5V

Nombre d'éléments par circuit

1

Matériau du transistor

SiC

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

€ 797,75

€ 26,592 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal N, HiP247-4 119 A 650 V, 4 broches

30

Disponible en multiples de 30
30€ 797,75
60€ 1 595,50
90€ 2 393,25
120€ 3 190,99
150€ 3 988,74
180€ 4 786,49
210€ 5 584,24
240€ 6 381,99
270€ 7 179,74
300€ 7 977,49
330€ 8 775,23
360€ 9 572,98
390€ 10 370,73
420€ 11 168,48
450€ 11 966,23

€ 797,75

€ 26,592 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal N, HiP247-4 119 A 650 V, 4 broches

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

30

Disponible en multiples de 30
30€ 797,75
60€ 1 595,50
90€ 2 393,25
120€ 3 190,99
150€ 3 988,74
180€ 4 786,49
210€ 5 584,24
240€ 6 381,99
270€ 7 179,74
300€ 7 977,49
330€ 8 775,23
360€ 9 572,98
390€ 10 370,73
420€ 11 168,48
450€ 11 966,23

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

119 A

Tension Drain Source maximum

650 V

Séries

SCTWA90N65G2V-4

Type de boîtier

HiP247-4

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

4

Résistance Drain Source maximum

0,024 O

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

5V

Nombre d'éléments par circuit

1

Matériau du transistor

SiC

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus