MOSFET STMicroelectronics canal N, M174 20 A 125 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
125 V
Type de boîtier
M174
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
389 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
24.89mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
26.67mm
Température d'utilisation maximum
+200 °C
Hauteur
4.11mm
Détails du produit
Transistors MOSFET RF, STMicroelectronics
Les transistors à fréquence radio sont adaptés aux LDMOS pour les liaisons satellite montantes à bande L et les transistors de puissance DMOS dans des applications allant de 1 MHz à 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 76,64
€ 76,64 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 76,64
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 76,64 |
| 5 - 9 | € 75,11 |
| 10 - 14 | € 72,80 |
| 15 - 19 | € 72,04 |
| 20+ | € 71,27 |
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N
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Type de boîtier
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Type de fixation
CMS
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
389 W
Configuration du transistor
Single
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±20 V
Largeur
24.89mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
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Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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