MOSFET STMicroelectronics canal N, M174 20 A 125 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
125 V
Type de boîtier
M174
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
389 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
24.89mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
26.67mm
Température d'utilisation maximum
+200 °C
Taille
4.11mm
Détails du produit
Transistors MOSFET RF, STMicroelectronics
Les transistors à fréquence radio sont adaptés aux LDMOS pour les liaisons satellite montantes à bande L et les transistors de puissance DMOS dans des applications allant de 1 MHz à 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 79,72
€ 79,72 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 79,72
€ 79,72 Each (hors TVA)
Standard
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 79,72 |
| 5 - 9 | € 78,13 |
| 10 - 14 | € 75,73 |
| 15 - 19 | € 74,93 |
| 20+ | € 74,14 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
125 V
Type de boîtier
M174
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
389 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
24.89mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
26.67mm
Température d'utilisation maximum
+200 °C
Taille
4.11mm
Détails du produit
Transistors MOSFET RF, STMicroelectronics
Les transistors à fréquence radio sont adaptés aux LDMOS pour les liaisons satellite montantes à bande L et les transistors de puissance DMOS dans des applications allant de 1 MHz à 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.