Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Fréquence de fonctionnement
230 MHz
Courant continu de Drain maximum Id
20A
Tension Drain Source maximum Vds
125V
Puissance de sortie
150W
Type de Boitier
M174
Séries
SD2931
Type de support
Surface
Nombre de broches
4
Mode de canal
Enhancement
Température d'utilisation minimum
65°C
Température d'utilisation maximum
200°C
Configuration du transistor
Single
Largeur
24.89 mm
Taille
4.11mm
Longueur
26.67mm
Normes/homologations
No
Gain en puissance typique
14dB
Standard automobile
No
Pays d'origine
Morocco
Détails du produit
Transistors MOSFET RF, STMicroelectronics
Les transistors à fréquence radio sont adaptés aux LDMOS pour les liaisons satellite montantes à bande L et les transistors de puissance DMOS dans des applications allant de 1 MHz à 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 378,53
€ 75,71 Each (Supplied in a Tray) (hors TVA)
Paquet de production (Plateau)
5
€ 378,53
€ 75,71 Each (Supplied in a Tray) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Plateau)
5
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 5 - 9 | € 75,71 |
| 10 - 14 | € 73,38 |
| 15 - 19 | € 72,61 |
| 20+ | € 71,84 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Fréquence de fonctionnement
230 MHz
Courant continu de Drain maximum Id
20A
Tension Drain Source maximum Vds
125V
Puissance de sortie
150W
Type de Boitier
M174
Séries
SD2931
Type de support
Surface
Nombre de broches
4
Mode de canal
Enhancement
Température d'utilisation minimum
65°C
Température d'utilisation maximum
200°C
Configuration du transistor
Single
Largeur
24.89 mm
Taille
4.11mm
Longueur
26.67mm
Normes/homologations
No
Gain en puissance typique
14dB
Standard automobile
No
Pays d'origine
Morocco
Détails du produit
Transistors MOSFET RF, STMicroelectronics
Les transistors à fréquence radio sont adaptés aux LDMOS pour les liaisons satellite montantes à bande L et les transistors de puissance DMOS dans des applications allant de 1 MHz à 2 GHz.


