Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
20A
Tension Drain Source maximum Vds
125V
Puissance de sortie
150W
Type de Boitier
M174
Série
SD2931
Type de support
En surface
Nombre de broches
4
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnemen
-20°C
Température d'utilisation maximum
100°C
Configuration du transistor
Single
Longueur
26.67mm
Hauteur
4.11mm
Normes/homologations
UPC
Gain en puissance typique
14dB
Standard automobile
No
Pays d'origine
Morocco
Détails du produit
Les transistors à fréquence radio sont adaptés aux LDMOS pour les liaisons satellite montantes à bande L et les transistors de puissance DMOS dans des applications allant de 1 MHz à 2 GHz.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 401,94
€ 63,83 Each (Supplied in a Tray) (hors TVA)
Paquet de production (Plateau)
5
€ 401,94
€ 63,83 Each (Supplied in a Tray) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Plateau)
5
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 99 | € 63,83 |
| 100+ | € 60,21 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
20A
Tension Drain Source maximum Vds
125V
Puissance de sortie
150W
Type de Boitier
M174
Série
SD2931
Type de support
En surface
Nombre de broches
4
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnemen
-20°C
Température d'utilisation maximum
100°C
Configuration du transistor
Single
Longueur
26.67mm
Hauteur
4.11mm
Normes/homologations
UPC
Gain en puissance typique
14dB
Standard automobile
No
Pays d'origine
Morocco
Détails du produit
Les transistors à fréquence radio sont adaptés aux LDMOS pour les liaisons satellite montantes à bande L et les transistors de puissance DMOS dans des applications allant de 1 MHz à 2 GHz.