Transistor P STMicroelectronics 29 A 700 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT G-HEMT
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Transistor
Type de canal
P-Channel
Courant continu de Drain maximum Id
29A
Tension Drain Source maximum Vds
700V
Type de Boitier
PowerFLAT
Série
G-HEMT
Type de support
Surface Mount
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
80mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
6.2nC
Dissipation de puissance maximum Pd
188W
Tension maximale de source de la grille Vgs
-6 to 7 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
8.1 mm
Longueur
8.1mm
Taille
0.9mm
Pays d'origine
China
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€ 2,22
€ 2,22 Each (hors TVA)
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