MOSFET STMicroelectronics 15 A 750 V Enrichissement, 4 broches, Bobine G-HEMT

N° de stock RS: 265-1035Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: SGT120R65AL
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Typ produktu

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

15A

Maximální napětí na zdroji Vds

750V

Type de Boitier

Reel

Série

G-HEMT

Typ montáže

Surface

Nombre de broche

4

Mode de canal

Enhancement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Maximální provozní teplota

60°C

Normes/homologations

No

Automobilový standard

No

Pays d'origine

China

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Tout voir dans Transistors MOSFET

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 2,59

€ 1,294 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics 15 A 750 V Enrichissement, 4 broches, Bobine G-HEMT
Sélectionner le type d'emballage

€ 2,59

€ 1,294 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics 15 A 750 V Enrichissement, 4 broches, Bobine G-HEMT

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Sélectionner le type d'emballage

QuantitéPrix unitairePar Paquet
2 - 48€ 1,294€ 2,59
50 - 98€ 1,259€ 2,52
100 - 248€ 1,23€ 2,46
250 - 998€ 1,219€ 2,44
1000+€ 1,201€ 2,40

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Typ produktu

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

15A

Maximální napětí na zdroji Vds

750V

Type de Boitier

Reel

Série

G-HEMT

Typ montáže

Surface

Nombre de broche

4

Mode de canal

Enhancement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Maximální provozní teplota

60°C

Normes/homologations

No

Automobilový standard

No

Pays d'origine

China

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus