MOSFET de puissance P STMicroelectronics 6 A 700 V Enrichissement, 2 broches, TO-252 G-HEMT
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Power MOSFET
Typ kanálu
P-Channel
Courant continu de Drain maximum Id
6A
Tension Drain Source maximum Vds
700V
Type de Boitier
TO-252
Série
G-HEMT
Typ montáže
Surface Mount
Nombre de broche
2
Résistance Drain Source maximum Rds
350mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
1.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
47W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
6.2mm
Höhe
2.4mm
Pays d'origine
China
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 752,86
€ 0,701 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Série
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2
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Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
1.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
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