MOSFET de puissance P STMicroelectronics 6 A 700 V Enrichissement, 2 broches, TO-252 G-HEMT
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
P-Channel
Type du produit
Power MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
6A
Tension Drain Source maximum Vds
700V
Série
G-HEMT
Type de Boitier
TO-252
Typ montáže
Surface Mount
Nombre de broche
2
Résistance Drain Source maximum Rds
350mΩ
Mode de canal
Enhancement
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
1.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
47W
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
6.2mm
Höhe
2.4mm
Pays d'origine
China
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€ 0,75
€ 0,75 Each (hors TVA)
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