MOSFET canal Type N STMicroelectronics 100 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET F7 Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
100A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
TO-263
Series
STripFET F7
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
5.6mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
12.6nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
9.35 mm
Height
4.6mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 855,30
€ 0,855 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Series
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3
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5.6mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
12.6nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
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Width
9.35 mm
Height
4.6mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
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