MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 100 A 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 906-4668Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STB100N6F7
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

100 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Séries

STripFET F7

Type de boîtier

D2PAK (TO-263)

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

5,6 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum

125 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

9.35mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

12,6 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Taille

4.6mm

Tension directe de la diode

1.2V

Détails du produit

Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

€ 8,46

€ 1,691 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 100 A 60 V, 3 broches
Sélectionner le type d'emballage

Standard

Sélectionner le type d'emballage

Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5€ 8,46
10€ 16,91
15€ 25,37
20€ 33,82
25€ 42,28
30€ 50,73
35€ 59,19
40€ 67,64
45€ 76,10
50€ 84,56
55€ 93,01
60€ 101,47
65€ 109,92
70€ 118,38
75€ 126,83

€ 8,46

€ 1,691 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 100 A 60 V, 3 broches

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Sélectionner le type d'emballage

Standard

Sélectionner le type d'emballage

Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5€ 8,46
10€ 16,91
15€ 25,37
20€ 33,82
25€ 42,28
30€ 50,73
35€ 59,19
40€ 67,64
45€ 76,10
50€ 84,56
55€ 93,01
60€ 101,47
65€ 109,92
70€ 118,38
75€ 126,83

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

100 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Séries

STripFET F7

Type de boîtier

D2PAK (TO-263)

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

5,6 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum

125 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

9.35mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

12,6 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Taille

4.6mm

Tension directe de la diode

1.2V

Détails du produit

Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus