MOSFET N STMicroelectronics 100 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET F7
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
100A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-263
Série
STripFET F7
Type de montage
Montage en surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
5.6mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Température d'utilisation minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
12.6nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Taille
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
IEC 60664-1
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 846,69
€ 0,847 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Nombre de broche
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Température d'utilisation minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
12.6nC
Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
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Taille
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
IEC 60664-1
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
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