MOSFET canal Type N STMicroelectronics 120 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET II AEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
120A
Tension Drain Source maximum Vds
40V
Type de Boitier
TO-263
Séries
STripFET II
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
5mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum d'utilisation
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
110nC
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1 950,43
€ 1,95 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Surface
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum d'utilisation
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
110nC
Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
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Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
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AEC-Q101
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
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