MOSFET de puissance MDmesh N STMicroelectronics 11 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STB11NM80
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET de puissance MDmesh
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
800V
Type de Boitier
TO-263
Séries
STB11NM80
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.4Ω
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Tension maximale de source de la grille Vgs
±30 V
Température de fonctionnement minimum
-65°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
43.6nC
Tension directe Vf
0.86V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
9.35 mm
Taille
4.37mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 3 211,01
€ 3,211 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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3
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Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
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Tension maximale de source de la grille Vgs
±30 V
Température de fonctionnement minimum
-65°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
43.6nC
Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
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