Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET de puissance MDmesh
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
800V
Type de Boitier
TO-263
Série
STB11NM80
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.4Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
43.6nC
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Tension directe Vf
0.86V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.37mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Idée. Créer. Collaborer
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 3 491,90
€ 3,492 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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STB11NM80
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Surface
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Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
43.6nC
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Tension directe Vf
0.86V
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No
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