MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 12 A, 3 broches

N° de stock RS: 188-8473PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STB12NM50T4
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Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

12 A

Type de boîtier

D2PAK (TO-263)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

350 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

5V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

160 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

9.35mm

Longueur

10.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

28 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Température de fonctionnement minimum

-65 °C

Tension directe de la diode

1.5V

Taille

4.37mm

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€ 25,83

€ 5,166 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 12 A, 3 broches
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Disponible en multiples de 5.

Production -

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5

Disponible en multiples de 5
5€ 25,83
10€ 51,66
15€ 77,49
20€ 103,32
25€ 129,15
30€ 154,98
35€ 180,81
40€ 206,64
45€ 232,47
50€ 258,30
55€ 284,14
60€ 309,97
65€ 335,80
70€ 361,63
75€ 387,46

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3

Résistance Drain Source maximum

350 mΩ

Mode de canal

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Tension de seuil maximale de la grille

5V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

160 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

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1

Largeur

9.35mm

Longueur

10.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

28 nC V @ 10

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