MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-263 12 A Enrichissement 500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
500V
Type de Boitier
TO-263
Série
STP12NM50
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
350mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Tension directe Vf
1.5V
Dissipation de puissance maximum Pd
160W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
28nC
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.37mm
Normes/homologations
No
Largeur
9.35 mm
Standard automobile
No
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€ 1 810,36
€ 1,81 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Surface
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Mode de canal
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Température minimum de fonctionnement
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Tension directe Vf
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Tension maximale de source de la grille Vgs
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