MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-263 12 A Enrichissement 500 V, 3 broches STB12NM50T4

N° de stock RS: 188-8473Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STB12NM50T4
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Documents techniques

Spécifications

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

12A

Tension Drain Source maximum Vds

500V

Type de Boitier

TO-263

Séries

STP12NM50

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

350mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

160W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30 V

Température minimum de fonctionnement

-65°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

28nC

Tension directe Vf

1.5V

Température de fonctionnement maximum

150°C

Largeur

9.35 mm

Hauteur

4.37mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No

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€ 25,32

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Surface

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3

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Mode de canal

Enrichissement

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160W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30 V

Température minimum de fonctionnement

-65°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

28nC

Tension directe Vf

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